Հայաստանի ատենախոսությունների բաց մատչելիության պահոց = Open Access Repository of the Armenian Electronic Theses and Dissertations (Armenian ETD-OA) = Репозиторий диссертаций Армении открытого доступа

Ճառագայթահարումով հարուցված երևույթներ որոշ կիսահաղորդչային կառուցվածքներում և բարձր ջերմաստիճանային գերհաղորդիչներում

Սահակյան, Արամ Արտավազդի (2013) Ճառագայթահարումով հարուցված երևույթներ որոշ կիսահաղորդչային կառուցվածքներում և բարձր ջերմաստիճանային գերհաղորդիչներում. Doctor of Sciences thesis, ԵՊՀ.

[img] PDF (Abstract)
Available under License Creative Commons Attribution.

Download (594Kb)

    Abstract

    В последние десятилетия широкое применение электронной техники в современных объектах, работающих в условиях воздействия ионизирующего излучения, таких как космические станции и атомные реакторы, усложнение условий эксплуатации этих объектов при одновременном росте требований к их качеству и надежности, становятся все более актуальными проблемы создания радиационно-стойкого электронного оборудования и материалов, способных работать в экстремальных условиях - при повышенных уровнях радиации. Под радиационной стойкостью обычно понимают стабильность физических параметров материалов и электронных устройств при их облучении частицами высоких энергией. Изменение параметров материалов происходит вследствие возникновения радиационных дефектов при облучении частицами высоких энергий. Структура металл - диэлектрик - полупроводник (МДП) является одной из основных компонент современной электронной техники. Основная часть вводимых радиационных дефектов в полупроводниковых структурах является электрически активной и образует энергетические уровни, которые играют важную роль в формировании электрофизических параметров структур диэлектрик-полупроводник (Д-П). Ատենախոսությունում ներկայացված են մետաղ-դիէլեկտրիկ-կիսահաղորդիչ (ՄԴԿ) կառուցվածքներում և բարձր ջերմաստիճանային գերհաղորդիչներում (ԲՋԳ) բարձր էներգիայով օժտված տարբեր տեսակի մասնիկների (4, 8, 50 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոններ, 12 կէՎ էներգիայով γ-քվանտներ, 10 կէՎ և 40 կէՎ էներգիայով արսենի իոններ) ճառագայթահարումով հարուցված երևույթների, ինչպես նաև ԲՋԳ-ում ջոզեֆսոնյան մրրիկների դինամիկայի և փոխազդեցության փորձարարական ուսումնասիրության արդյունքները: Գտնվել է, որ բարձր էներգիայով օժտված էլեկտրոններով ճառագայթահարելիս դիէլեկտրիկ-կիսահաղորդիչ սահմանում հարուցված ճառագայթահարային մակերևութային մակարդակների (ՄՄ) կուտակման արագությունը M-SiOշ-Si կառուցվածքում ալյումինե էլեկտրոդի տակ 3-4 անգամ մեծ է համեմատած Au, Ag, Cu, Ni, Zn մետաղների դեպքին, որոնք չեն ազդում այդ երևույթի վրա: Ցույց է տրված, որ փոխազդեցության իոնացնող և հարվածային մեխանիզմներով առաջացած ճառագայթահարային ՄՄ էներգիայի սպեկտրները, այրման ջերմաստիճանները և ակտիվացիայի էներգիաները էապես տարբեր են: The results of experimental researches of effects in structures metal - insulator- semiconductor (MIS) and ceramic high-temperature superconductors (HTCS), induced by various kind radiation (electrons with energy 4, 8 and 50 MeV, y-quanta with energy 12 keV, arsenic ions with energy 10 keV and 40 keV), and also study of dynamics and interaction of Josephson vortexes in high-temperature superconductors are presented in the dissertation. It is observed, that the accumulation rate of radiation surface states generated in M-SiO2-Si structure at an irradiation by electrons of high energy under the aluminum electrode is 3-4 times higher in comparison with electrode materials of Au, Ag, Cu, Ni, Zn, which do not influence on this effect. It was shown, that different type of surface states are forming on the Si-SiO2 interface depending on mechanism of interaction of bombarding particles with atoms of components of the insulator-semiconductor structure. It is established, that the energy spectra, annealing characteristic temperatures and activation energy of the interface centers created by ionizing and impact mechanisms of interaction, essentially differ. Formation of radiation defects on the surface of silicon covered with a film SiO2 is observed in the case when the bombarding particles do not reach to the interface of insulator- semiconductor.

    Item Type: Thesis (Doctor of Sciences)
    Additional Information: Ճառագայթահարումով հարուցված երևույթներ որոշ կիսահաղորդչային կառուցվածքներում և բարձր ջերմաստիճանային գերհաղորդիչներում: Radiation indused effects in some semiconductor structures and high-temperature superconductors.
    Uncontrolled Keywords: Սահակյան Արամ Արտավազդի, Sahakyan Aram Artavazd
    Subjects: Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: NLA Circ. Dpt.
    Date Deposited: 06 May 2017 15:36
    Last Modified: 15 May 2017 16:15
    URI: http://etd.asj-oa.am/id/eprint/4629

    Actions (login required)

    View Item