Тамразян, Арам Арменович (2013) Моделирование и исследование физических явлений наноразмерных металл-оксид-полупроводниковых транзисторов на основе карбида кремния. PhD thesis, Государственный инженерный университет Армении (Политехник).
Full text not available from this repository.
Item Type: | Thesis (PhD) |
Additional Information: | Սիլիցիումի կարբիդի հիմքով մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ նանոչափային տրանզիստորների ֆիզիկական երևույթների մոդելավորումը և հետազոտումը: Modeling and investigation of physical phenomena of silicon carbide-based nanoscale metal-oxide-semiconductor transistors. |
Uncontrolled Keywords: | Թամրազյան Արամ Արմենի, Tamrazyan Aram Armen |
Subjects: | Metallurgy and Material Science |
Divisions: | UNSPECIFIED |
Depositing User: | NLA Circ. Dpt. |
Date Deposited: | 17 Apr 2018 12:41 |
Last Modified: | 20 Apr 2018 11:17 |
URI: | http://etd.asj-oa.am/id/eprint/7032 |
---|
Actions (login required)